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CR5229

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CR5229具有OTP功能的新型反激功率開(kāi)關(guān) |

CR5229是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式反激PWM控制芯片，它適用于18W以內(nèi)的離線式反激開(kāi)關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。

啟達(dá)授權(quán)一級(jí)代理

概述：
CR5229是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式反激PWM控制芯片，它適用于18W以內(nèi)的離線式反激開(kāi)關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)。設(shè)計(jì)了完善的保護(hù)功能，包括：軟啟動(dòng)、過(guò)溫保護(hù)、VDD欠壓鎖定、過(guò)壓保護(hù)及箝位、逐周期電流限制、過(guò)載保護(hù)和輸出驅(qū)動(dòng)高箝位等，特別對(duì)音頻噪聲和FM干擾進(jìn)行了處理。芯片內(nèi)置的頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。CR522X選型參照下表：
產(chǎn)品型號(hào) 待機(jī)功耗 適用功率* 封裝
CR5221 <250mW ≤8W DIP-8
CR5223 <250mW ≤7W SOP-8
CR5224 <250mW ≤12W DIP-8
CR5228 <250mW ≤15W DIP-8
CR5229 <250mW ≤18W DIP-8
 
特征：

l 內(nèi)置600V/650V功率開(kāi)關(guān)MOSFET
l 頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)技術(shù)以達(dá)到更好的EMI性能
l 過(guò)溫保護(hù)
l 工作無(wú)音頻噪音
l 內(nèi)置軟啟動(dòng)，以減小MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)力


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