主要特點(diǎn)

基本應(yīng)用

極限參數(shù)

符號(hào)	參數(shù)		值	單位
VDD	工作電壓		30	V
IOVP	VDD過(guò)電壓時(shí)最大輸入電流		10	mA
VFB	FB引腳工作電壓		-0.3 to 6V	V
VCS	CS引腳工作電壓		-0.3 to 6V	V
TL	焊接溫度	10秒 DIP-8L和SOP-8L	260	℃
TSTG	儲(chǔ)存溫度范圍		-55 to + 150	℃

 
 
推薦工作環(huán)境

符號(hào)	參數(shù)		最小~最大	單位
VDD	VDD 電源電壓		10~23	V
TOA	工作環(huán)境溫度		-20~85	℃
PO	最大輸出功率	CR5521	0~6	W
		CR5524	0~11	W
		CR5528	0~15	W

電氣特性
(Ta=25℃, VDD = 18V，除了另作說(shuō)明)
 

符號(hào)	參數(shù)	測(cè)試條件	最小	典型	最大	單位
IDrain	Drain腳啟動(dòng)電流	VDD=2V, Drain=100V		2		mA
IDrain_leakage	Drain腳漏電流	VDD=18V, Drain=500V,FB=0			10	μA
電源電壓(VDD Pin)
IST	啟動(dòng)電流			5.0	20.0	μA
IOP	工作電流	VFB=3V		2	2.5	mA
	工作電流	VDD=15V, VFB=1V		0.8	1	mA
UVLO_OFF	開啟電壓		13.5	14.5	15.5	V
UVLO_ON	關(guān)閉電壓		8	9	10	V
Vpull-up	GATE上拉PMOS 導(dǎo)通觸發(fā)電壓			12		V
VDD_CLAMP	VDD引腳鉗位電壓	IVDD=10mA	30	32	34	V
VDD_OVP	VDD過(guò)壓保護(hù)電壓		24	26	28	V
Vth_recovery	自恢復(fù)閾值電壓			5		V
Vth_latch	鎖存閾值電壓			4.2		V
電壓反饋 (FB Pin)
IFB	短路電壓	VFB=0V		0.2		mA
VFB	開路電壓	VFB=Open		5		V
Dmax	最大占空比		75	80	85	%
VREF_GREEN	進(jìn)入綠色模式時(shí)基 準(zhǔn)電壓點(diǎn)			2		V
VREF_Burst_H	退出Burst模式			1.3		V
VREF_Burst_L	進(jìn)入Burst模式			1.1		V
VOLP	進(jìn)入OLP，F(xiàn)B電壓			3.7		V
TOLP	OLP延遲時(shí)間		80	88	96	ms
ZFB	FB阻抗			25		kohm
電流檢測(cè)（CS Pin）
SST	軟啟動(dòng)時(shí)間			4		ms
T_blanking	前沿消隱屏蔽時(shí)間			320		ns
ZCS_IN	CS輸入阻抗			40		kohm
TD_OC	過(guò)流檢測(cè)延遲時(shí)間			120		ns
VTH_OC	峰值限制低端電壓 （Dmin=0%）			0.75		V
VOCP_clamping	峰值限制高端電壓 （Dmax=80%）			0.9		V
振蕩器
FOSC	PWM工作時(shí)頻率		60	65	70	kHz
FPFM	PFM工作最低頻率			22		kHz

工作原理描述

CR552X 是一款高性能的電流模式 PWM 電源開關(guān)，用于超低待機(jī)功耗和低成本的離線 式反激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中。輕載和無(wú)負(fù)載情況下自動(dòng)進(jìn)入綠色模式和 Burst 模式，可以有效減小 電源模塊的待機(jī)功耗，滿足能效六級(jí)標(biāo)準(zhǔn)要求。
 

內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)和欠壓鎖定

CR552X 采用了具有專利技術(shù)的高壓?jiǎn)?dòng)電路，在啟動(dòng)時(shí)為 VDD 提供 2mA 的啟動(dòng)電流， 當(dāng) VDD 電壓充電到高于 UVLO_OFF 時(shí)，啟動(dòng)電流關(guān)閉，以達(dá)到降低系統(tǒng)功耗，減少待機(jī)損 耗的目的。當(dāng) VDD 電容上的電壓低于 UVLO_ON，啟動(dòng)電流并不會(huì)對(duì) VDD 充電，VDD 電壓 繼續(xù)下降到 Vth_recovery 閾值后，芯片重新啟動(dòng)。這個(gè)遲滯電壓有效地降低了芯片在輸出短 路情況下的短路功耗。
 

工作電流

CR552X 的工作電流為 2mA，這種較低的工作電流和 Burst 模式能夠更好的實(shí)現(xiàn)效率的 提高與待機(jī)功耗的降低，在無(wú)負(fù)載情況下工作電流進(jìn)一步降低，保證能夠?qū)崿F(xiàn)超低待機(jī)功耗
（30mW 以下）。
 

軟啟動(dòng)

每一次VDD電源啟動(dòng)瞬間，CR552X芯片內(nèi)部都將觸發(fā)軟啟動(dòng)功能，即在VDD電壓達(dá)到 UVLO_OFF以后，在大約4ms時(shí)間內(nèi)，峰值電流從0上升到最大值峰值電流，以減少電源啟動(dòng) 期間功率MOSFET的電壓應(yīng)力。注意：無(wú)論何種保護(hù)導(dǎo)致的VDD再次啟動(dòng)，都必將觸發(fā)軟 啟動(dòng)功能。
 

頻率抖動(dòng)

CR552X 具有頻率抖動(dòng)功能，即開關(guān)頻率以一個(gè)固定的中心頻率為基準(zhǔn)，在一定范圍內(nèi) 小幅隨機(jī)變化，從而分散了諧波干擾能量。擴(kuò)展的頻譜降低了窄帶 EMI，因此簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè) 計(jì)。
 

綠色模式和Burst模式控制

在輕載或者空載情況下，開關(guān)電源的大部分損耗來(lái)源于功率 MOSFET 的開關(guān)損耗，變 壓器鐵損和緩沖電路的損耗。功率損失的程度正比于開關(guān)頻率。較低的開關(guān)頻率可以降低功 率損耗，達(dá)到節(jié)能的目的。
CR552X 的開關(guān)頻率可根據(jù)開關(guān)電源負(fù)載情況進(jìn)行內(nèi)部調(diào)節(jié)。正常負(fù)載條件下，芯片以 固定頻率發(fā)波；當(dāng)負(fù)載減小到某一點(diǎn)的時(shí)候，芯片開始工作在綠色模式，即負(fù)載越輕芯片工

作頻率越低；如果負(fù)載進(jìn)一步降低到一定程度以后，芯片開始間歇性地發(fā)波，從而極大的減 小待機(jī)功耗。
開關(guān)頻率控制采用無(wú)噪音工作模式，在任何負(fù)載情況下都不會(huì)進(jìn)入人耳敏感的音頻范 圍，從而消除音頻噪聲。
 

峰值電流檢測(cè)和前沿消隱

CR552X 采用電流模式 PWM 控制技術(shù)，具有逐周期峰值電流限制功能。在 MOSFET 導(dǎo)通瞬間，功率管將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的瞬時(shí)電流，該電流流過(guò) CS 峰值檢測(cè)電阻并在其兩端 產(chǎn)生一個(gè)很大的瞬時(shí)電壓，從而引起錯(cuò)誤的 CS 峰值電流檢測(cè)。前沿消隱電路就是為了濾除 MOSFET 導(dǎo)通瞬間 CS 端所產(chǎn)生的瞬時(shí)大電壓，防止錯(cuò)誤的 CS 峰值電流檢測(cè)。在前沿消隱 時(shí)間內(nèi)，不關(guān)斷內(nèi)部功率 MOSFET。CR552X 中設(shè)計(jì)了 320ns 的前沿消隱電路，它可以代替 傳統(tǒng)的外接 RC 濾波電路，節(jié)省外圍元件。
 

內(nèi)部斜波補(bǔ)償

斜波補(bǔ)償電路在 CS 端檢測(cè)電壓信號(hào)上疊加了一個(gè)三角波信號(hào)。這極大的改善了系統(tǒng)工 作在 CCM 模式的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止次諧波振蕩，減小輸出紋波電壓。
 

功率管驅(qū)動(dòng)

CR552X 內(nèi)置功率 MOSFET 采用柵極軟驅(qū)動(dòng)控制。柵極驅(qū)動(dòng)能力太弱將導(dǎo)致較高的開 關(guān)損耗；柵極驅(qū)動(dòng)能力太強(qiáng)又將導(dǎo)致 EMI 特性較差。因此兩者之間必須采取一定的折中設(shè) 計(jì)。
內(nèi)置的圖騰柱柵極軟驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和死區(qū)時(shí)間很好地實(shí)現(xiàn)了這個(gè)折中關(guān) 系，從而使芯片更容易降低系統(tǒng)損耗并且實(shí)現(xiàn)良好的 EMI 特性設(shè)計(jì)。
 

保護(hù)控制

為了確保系統(tǒng)的正常工作，CR552X 內(nèi)置了多重保護(hù)措施。這些保護(hù)措施一旦被觸發(fā)， 將關(guān)斷功率 MOSFET。能夠自動(dòng)恢復(fù)的保護(hù)包括逐周期電流限制（OCP）、過(guò)溫保護(hù)（OTP）、 過(guò)載保護(hù)（OLP）、VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)；當(dāng) VDD 過(guò)壓保護(hù)（OVP），將進(jìn)入鎖存 狀態(tài)。
逐周期電流限制（OCP）帶有內(nèi)置線電壓補(bǔ)償，可實(shí)現(xiàn)寬輸入電壓范圍（85V~265V） 時(shí)恒定功率輸出控制。
當(dāng) FB 端電壓大于過(guò)載限制閾值 TOLP 后，控制電路關(guān)閉功率開關(guān)管并一直保持該狀態(tài)直 到 VDD 電壓下降到 Vth_recovery 閾值后，芯片重新啟動(dòng)。
芯片正常工作時(shí) VDD 電壓由變壓器輔助繞組提供。當(dāng) VDD 電壓大于 VDD 過(guò)壓保護(hù)閾